沈涵 科技日报记者 王春
年夜数据与人工智能时代对于数据存取机能提出极致要求，而今朝速率最快的存储器为易掉性存储器，速率为1-30纳秒，断电后数据会丢掉。传统闪存不会容易丢掉数据，但事情效率掉队在芯片算力10万倍以上。记者从复旦年夜学获悉，该校集成芯片与体系天下重点试验室、集成电路与微纳电子立异学院周鹏-刘春森团队率先研发出全世界首颗二维-硅基混淆架构闪存芯片，解决了存储速度上的技能难题。相干研究结果在10月8日发表于学术期刊《天然》上。
这是复旦年夜学继“拂晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，于二维电子器件工程化门路上再获里程碑式冲破。本年4月，周鹏-刘春森团队在《天然》期刊提出“拂晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易掉存储，这是迄今最快的半导体电荷存储技能，为打破算力成长困境提供了底层道理支撑。研究团队认为，若要加速新技能孵化，就要将二维超快闪存器件充实融入互补金属氧化物半导体（CMOS）传统半导体出产线。
然而，CMOS电路外貌有浩繁元件，犹如一个微缩“都会”，既有高楼也有平地；而二维半导体质料厚度仅1到3个原子，如“蝉翼”般纤薄懦弱，若直接将其铺于CMOS电路上，质料很轻易分裂。怎样将二维质料与CMOS电路集成且不粉碎其机能，是团队需要霸占的焦点难题。
“咱们不必去转变CMOS，而需要去顺应它。”复旦年夜学集成电路与微纳电子立异学院副院长周鹏先容，团队从具备必然柔性特色的二维质料入手，经由过程模块化集成方案，先将二维存储电路与成熟CMOS电路分散制造，再经由过程微米标准的高密度单片互连技能实现完备集成，使芯片集成良率跨越94%。
这一结果将二维超快闪存与成熟CMOS的工艺深度交融，霸占了二维信息器件工程化的要害难题，率先实现全世界首颗二维-硅基混淆架构闪存芯片的研发。财产界相干人士认为，这类芯片可冲破闪存自己于速率、功耗、集成度上的均衡限定，将来或者可于3D运用层面带来更年夜市场时机。
研究团队暗示，下一步规划成立试验基地，与相干机构互助，成立自立主导的工程化项目，用3-5年时间将项目集成到兆量级程度。
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